Module GD50PIX120C6SN transistor IGBT 1200V pour commutation de puissance

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Description de Module GD50PIX120C6SN transistor IGBT 1200V pour commutation de puissance

Composant de commutation IGBT pour parcs machines industriels

Le module de puissance GD50PIX120C6SN constitue une solution robuste pour le remplacement et la modernisation des ponts onduleurs triphasés. Sa structure interne avancée permet de commuter de fortes tensions à des fréquences élevées, optimisant le rendement global des systèmes de conversion d'énergie.

Une réponse concrète aux pertes de commutation

La réduction des pertes en mode passant permet à ce composant de maintenir une température de jonction stable. Cela se traduit par une baisse de la consommation électrique globale de l'armoire et une diminution du dimensionnement des dissipateurs thermiques extérieurs.

Données de conception et de fonctionnement

Référence produitGD50PIX120C6SN
Tension de coupure1200 V
Courant nominal de service50 A
Nombre de phases3 (Triphasé intégré)
Indice de protection thermiqueThermistance NTC intégrée
Une conception rigoureuse pour les ingénieurs à la recherche d'une stabilité absolue sur les réseaux électriques triphasés soumis à de fortes variations de charge.

Applications de destination

  1. Alimentations à découpage industrielles de forte puissance.
  2. Systèmes de soudage à l'arc automatisés.
  3. Variateurs de fréquence pour convoyeurs industriels.

Détails

OPC s7_CB0H6W3VNZB
Référence produit s7_CB0H6W3VNZB
Marque
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5/5
J. Mclachlan
Publié le 14/10/2026
Vendu par EXTREME MOBILE LTD
Je suis ravi de mon achat, le produit est superbe.
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